淵謀遠略/半導體業加速自主化 增強韌性\袁 淵
圖：中國半導體行業已進入「戰略攻堅期」，在龐大的市場規模和國產化率提高下，有力突破美國的技術封鎖。
半導體作為現代工業的「糧食」，既是中美科技博弈的核心戰場，也是全球產業鏈重構的關鍵樞紐。本屆亞太經濟合作會議（APEC）峰會後，中美貿易呈現出「有限緩和與精準封鎖並存」的新特徵，既為中國半導體行業帶來關稅調整的短期喘息，也加劇了技術封鎖的長期壓力。
數據顯示，中國半導體市場規模已佔全球34%，2024年銷售額達1.35萬億元（人民幣，下同），但高端芯片自給率不足20%，核心設備與材料國產化率普遍低於30%。
中美關稅爭端緩和並非全面放鬆。峰會後，美國保留了針對汽車、鋼鋁製品的「232關稅」措施，要求「出口豁免需在美國境內組裝」，試圖逼迫製造業回流本土。這種「選擇性微調」策略，本質是美國在「經濟利益」與「戰略遏制」間的平衡：既通過部分關稅減免緩解國內通脹與企業壓力，又通過關鍵領域關稅保留談判籌碼。
更嚴峻的衝擊來自供應鏈封鎖。美國計劃擴大出口管制黑名單，使得中芯國際、長江存儲等企業面臨「設備斷供」風險。譬如，長江存儲128層3D NAND擴產計劃依賴的東京電子刻蝕機，因美日協同管制，交付周期從6個月延長至12個月，直接導致其2026年產能目標（每月10萬片）被迫下調20%。設備短缺還引發連鎖反應：國產設備雖加速替代，但驗證周期通常需2至3年，應急導入導致部分晶圓廠良率下降3至5個百分點，生產成本顯著上升。
技術封鎖倒逼改革
壓力倒逼改革，封鎖催生突破。在政策端，國家大基金三期3440億元注資將於2025年第四季度落地，其中60%投向設備、材料等「卡脖子」環節；在地方層面，長三角、粵港澳大灣區同步設立千億級半導體專項基金，形成「國家＋地方」的資本支持體系。
在市場端，國產替代進入「量價齊升」階段。2025年上半年，國產刻蝕機在成熟製程（28納米及以上）的市佔率已經從2024年的25%提升至35%，中微公司的CCP刻蝕機在長江存儲5納米產線導入率突破20%；材料領域，安集科技的拋光液、滬硅產業的12吋硅片在中芯國際的採購佔比分別達30%、25%，較2024年提升10個百分點以上。這種替代並非「低水平重複」，而是技術迭代驅動的高質量替代──北方華創的14納米PVD設備已進入中芯國際驗證階段，性能指標接近國際主流水平。
終端需求的「本土優先」策略進一步打開市場空間。2025年，比亞迪、蔚來等新能源車企車規級芯片國產化率從2024年的15%升至30%，華為鴻蒙生態下的物聯網芯片採購量中，國產芯片佔比達45%。這種「需求拉動供給」的良性循環，為半導體企業提供了寶貴的量產驗證機會。
積極提高國產化率
須承認的是，核心技術突破需要堅持「單點突破與體系構建並重」。在設備領域，實施「光刻機突圍計劃」：依託上海微電子，聯合中國科學院光電所攻關DUV多重曝光技術，2027年前實現28納米製程DUV設備量產；同時布局EUV關鍵技術，重點突破光源、光學鏡頭等核心部件，力爭2030年前完成EUV原型機研發。對於刻蝕機、薄膜沉積設備等「優勢領域」，支持中微公司、北方華創擴大14納米設備市場份額，2028年前實現成熟製程設備國產化率超70%。
在製造與設計端，採取「先進與成熟並舉」策略：中芯國際、華虹半導體聚焦14納米良率提升與成本優化，2026年前實現14納米產能翻倍；同時鼓勵企業在功率半導體、MEMS傳感器等特色工藝形成差異化優勢，2027年前車規級功率芯片國產化率突破50%。設計領域，支持華為海思、紫光展銳攻關AI芯片、高性能計算芯片，2026年國產AI芯片算力密度達到國際主流水平的80%以上。
創新體系建設需強化產學研協同。建立「國家半導體研究院＋企業聯合實驗室」模式：依託清華大學、復旦大學建設半導體材料與器件國家實驗室，聚焦底層技術研發；推動中芯國際與中國科學院微電子所共建14納米工藝聯合實驗室，加速技術產業化。完善知識產權保護機制，設立半導體專利池，降低中小企業專利使用成本。
產業鏈升級的核心是構建「強鏈補鏈」機制。建立「產業鏈龍頭牽引＋中小企業配套」的協同模式：由中芯國際、長江存儲等龍頭企業梳理「卡脖子」清單，向設備、材料企業開放驗證需求與技術標準；通過「聯合研發＋優先採購」綁定上下游，例如中芯國際承諾對通過驗證的國產設備給予30%的採購傾斜。
針對關鍵「斷點」，實施「專項攻堅行動」：EDA領域，支持華大九天、廣立微聯合開發全流程設計工具，2028年前實現28納米全流程EDA國產化；材料領域，推動滬硅產業12吋硅良率提升至90%以上，南大光電實現高端光刻膠量產；零部件領域，重點突破射頻電源、精密運動台等，2027年前國產設備零部件自給率超60%。
避免重複建設需強化頂層設計。由工信部牽頭建立半導體產能監測與預警機制，對成熟製程產能實施「備案制管理」，引導資本流向設備、材料等薄弱環節。依託長三角、粵港澳大灣區產業集群，推動區域內產能共享與資源整合，例如上海臨港與合肥長鑫共建存儲芯片產能調配平台，提高產能利用率。
政策支持需要從「普惠式」轉向「精準化」。在財政方面，擴大大基金三期投資規模，設立「半導體設備專項貸款」，給予企業3%的貸款貼息；稅收方面，對半導體設備企業實行「研發費用加計扣除175%」政策，對國產設備採購給予15%的稅收返還。優化市場環境，實施「國產半導體產品優先採購目錄」，要求政府部門、國有企業採購中國產芯片佔比不低於30%。
擴大國內市場需求需激活終端應用。推動「芯片─終端」協同創新：支持新能源汽車企業與比亞迪半導體聯合開發車規級芯片，智能家電企業與紫光展銳合作研發物聯網芯片，形成「需求拉動供給」的良性循環。培育新興應用場景，在工業互聯網、邊緣計算等領域推廣國產芯片，創造新增量市場。
加強國際規則話語權，積極參與APEC、世界貿易組織（WTO）等多邊框架下的半導體貿易規則制定，推動「技術標準非歧視性」原則納入國際協定。依託「一帶一路」倡議，與東南亞國家共建半導體封裝測試基地，規避貿易壁壘。
人才培養內外並舉
人才培養需「校企聯動、內外並舉」。在高校層面，優化半導體專業課程體系，將實踐教學佔比提升至30%，與企業共建100個實訓基地；職業教育層面，聚焦設備操作、封裝測試等技能型人才，培養每年輸送10萬名合格技工。在國際引入人才方面，實施「半導體頂尖人才計劃」，給予海外人才稅收減免、科研經費支持等優惠，吸引全球高端人才來華創新創業。
2025年APEC峰會後，中美貿易關係呈現「關稅有限緩和、科技封鎖升級、規則博弈加劇」的新特徵，既給中國半導體行業帶來成本上升、供應鏈波動的短期衝擊，也催生了國產替代加速、產業鏈韌性提升的長期機遇。當前，中國半導體行業已進入「戰略攻堅期」，1.8萬億元的市場規模、3440億元的大基金支持、35%的成熟製程設備國產化率，構成了突破封鎖的堅實基礎，但先進製程滯後、高端設備短缺、人才不足等瓶頸仍需突破。
展望2025至2030年，中國半導體行業將呈現三大趨勢：一是技術自主化加速，2027年前實現14納米製程穩定量產，2030年前在EUV光刻機、全流程EDA等「卡脖子」環節實現局部突破；二是產業鏈韌性增強，成熟製程設備與材料國產化率分別突破70%、50%，形成「設計─製造─設備」協同生態；三是國際地位提升，依託3.5萬億元的市場規模（2030年預測），成為全球半導體產業鏈「不可替代的重要一極」。
（作者為外資投資基金董事總經理）
